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平面工艺 的关系图
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特化
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实现
组成部分
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集成电路
MOS 集成电路
半导体光刻
平面工艺
硅晶体管
可见关系
当前已加载 · 5 条
集成电路
→
平面工艺
依赖
现代单片集成电路的早期可制造路线依赖平面工艺提供器件隔离和表面互连条件。
MOS 集成电路
→
平面工艺
演化自
MOS 集成电路沿用平面工艺的表面氧化、掩膜和互连思路，并进一步提高器件密度。
半导体光刻
→
平面工艺
促成
光刻和掩膜把表面开口图案转移到晶圆上，使平面工艺能够重复形成受保护的器件区域。
平面工艺
→
硅晶体管
演化自
平面工艺保留二氧化硅保护层，针对硅晶体管表面结的可靠性问题改进制造方法。
平面工艺
→
集成电路
应用于
平面工艺让多个器件可以在同一晶圆表面形成，并为其后的金属互连提供平整、受保护的表面。