技术定义
利用光掩膜和感光材料把电路图形转移到晶圆表面，支持半导体器件的重复制造。
它是什么
光刻把掩膜上的几何图形转移到晶圆上的感光胶，再用刻蚀、掺杂或沉积形成器件区域和金属互连。多次对准叠加，就能在同一晶圆上制造复杂电路。
为什么出现、解决了什么问题
离散晶体管的手工封装和布线无法支撑更高密度。光刻提供了统一、可重复的图形复制手段，让工程师能够把大量相同器件制造在晶圆上，并精确控制彼此的位置。
为什么重要、推动了什么
光刻不是单个逻辑器件，而是把设计变成可批量生产芯片的桥梁。没有它，平面工艺、MOS 集成电路和后来承载微处理器的大规模集成都无法经济地扩大。
原理与影响
解决的问题
- 以可复制图案替代逐个器件手工加工和连线。
- 提高器件尺寸一致性，并为更小线宽和更高密度留出工艺路径。
核心原理
- 在晶圆上涂覆光刻胶，曝光、显影后形成选择性保护区域。
- 刻蚀、离子注入或沉积等步骤使用图形定义器件和互连位置。
相对前代的改进
- 同一掩膜可以在晶圆上重复制造大量相同结构。
- 通过缩小图形和叠加多层工艺提高集成密度。
技术意义
- 成为平面工艺、MOS 和大规模集成的关键制造能力。
- 把电路设计从单个器件连接推进到晶圆级复制。
历史与应用
人物
Jean Hoerni、Jay Last
组织
Fairchild Semiconductor、Bell Telephone Laboratories
事件
1950 年代扩散和掩膜工艺进入晶体管制造、1960 年平面集成电路原型制造
典型应用
硅晶体管和二极管、单片集成电路、MOS 存储器和处理器
留下的局限
- 对洁净度、对准精度、曝光设备和材料稳定性要求高。
- 缺陷率和线宽控制会直接影响芯片良率。
上下游关系
上游
暂无直接上游记录
下游
证据：The Silicon Engine: A Timeline of Semiconductors in Computers1959: Invention of the Planar Manufacturing Process